國星光電公告，擬非公開發(fā)行股票數(shù)量不超過9055萬股，發(fā)行價格6.96元/股，募資不超過6.3億元，投入國星半導(dǎo)體外延芯片項目（二期）項目和補充流動資金。

公司表示，國星外延芯片項目（一期）預(yù)計將于9月底實現(xiàn)外延芯片產(chǎn)品的量產(chǎn)；二期項目擬投資6.2億元，使用募集資金5億元，預(yù)計項目建設(shè)期為15個月。

資料顯示，國星半導(dǎo)體的外延芯片項目（一期）投資10.4億元，引進(jìn)了20條MOCVD生產(chǎn)線，形成年產(chǎn)外延片96萬片、芯片63.36億粒的生產(chǎn)能力。

國星光電稱，二期項目將擴(kuò)大大中功率芯片規(guī)模，滿足市場需求，預(yù)計達(dá)產(chǎn)年可實現(xiàn)銷售收入5.32億元，實現(xiàn)稅后凈利潤8347萬元。