中國證券報12月9日訊 通富微電（002156）計劃總投資預(yù)計10億元，啟動半導(dǎo)體三期工程和擴(kuò)建二期工程。

此次擬開工建設(shè)的三期工程建筑面積約2.6萬平方米，二期擴(kuò)建工程建筑面積約1萬平方米。工程建設(shè)完成后將用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封裝的研究開發(fā)及其量產(chǎn)，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 產(chǎn)品的擴(kuò)產(chǎn)，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)能力。上述產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于3G手機(jī)、移動電視、無線射頻網(wǎng)絡(luò)、汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。項目資金來源為自有資金和銀行項目貸款。

通富微電認(rèn)為，2010年半導(dǎo)體行業(yè)將進(jìn)入景氣周期，啟動三期工程、擴(kuò)建二期工程是為了保證發(fā)展所必需的環(huán)境和空間，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升技術(shù)水平。