中國證券報12月9日訊 通富微電（002156）計劃總投資預計10億元，啟動半導體三期工程和擴建二期工程。

此次擬開工建設的三期工程建筑面積約2.6萬平方米，二期擴建工程建筑面積約1萬平方米。工程建設完成后將用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封裝的研究開發(fā)及其量產，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 產品的擴產，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP產品的大規(guī)模生產能力。上述產品廣泛應用于3G手機、移動電視、無線射頻網絡、汽車電子、消費電子等領域。項目資金來源為自有資金和銀行項目貸款。

通富微電認為，2010年半導體行業(yè)將進入景氣周期，啟動三期工程、擴建二期工程是為了保證發(fā)展所必需的環(huán)境和空間，擴大生產規(guī)模，調整產品結構，提升技術水平。