東光微電（002504）周三午間公告稱，公司近日收到國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的一項發(fā)明專利證書，專利名稱為“集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT及制備方法”，專利期限20年。

公司表示，專利的取得不會對公司生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但有利于公司產(chǎn)品升級和知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)，提升公司的核心競爭力。