吉林華微電子股份有限公司
Jilin Sino-Microelectronics Co.,Ltd.
關(guān)于 2018 年配股募集資金使用的
可行性分析報(bào)告
二〇一八年一月
一、本次配股公開發(fā)行股票募集資金的用途
本次配股擬募集資金總額不超過 10 億元（含發(fā)行費(fèi)用），扣除發(fā)行費(fèi)用后
的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)。本項(xiàng)目產(chǎn)品包括
重點(diǎn)應(yīng)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，形成 600V-1700V 各種電壓、電流等級(jí)
的 IGBT 芯片；同時(shí)包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的 MOSFET 芯片；
以及與公司主流產(chǎn)品配套的 IC 芯片。
二、本次配股公開發(fā)行的背景和目的
（一）本次配股公開發(fā)行的背景
1、電力電子器件行業(yè)市場(chǎng)空間廣闊
電力電子器件，又稱功率半導(dǎo)體器件。功率半導(dǎo)體器件是廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)
濟(jì)建設(shè)幾乎一切部門的重要而不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，幾乎所有的電子產(chǎn)品都會(huì)
用到功率半導(dǎo)體器件。目前，我國(guó)已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用市場(chǎng)。
2016 年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 1494.5 億元，同比增長(zhǎng) 7.1%。隨著國(guó)內(nèi)節(jié)
能環(huán)保、新能源等下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，以及國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策對(duì)下游新興產(chǎn)業(yè)
的大力支持和對(duì)傳統(tǒng)行業(yè)的升級(jí)改造，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的銷售將隨之穩(wěn)
步增長(zhǎng)。根據(jù)賽迪顧問股份有限公司的預(yù)計(jì)，2018 年，我國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
將增長(zhǎng)到 1702.8 億元，增速為 5.4%。2019 年隨著物聯(lián)網(wǎng)開始進(jìn)入成熟期，我國(guó)
功率器件產(chǎn)品將迎來快速增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 1861.2 億元，增速預(yù)計(jì)達(dá)到 9.3%。
2、公司正在實(shí)施“中高端技術(shù)產(chǎn)品規(guī)?；睉?zhàn)略
面對(duì)國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略性結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，公司在“十三五”乃至中長(zhǎng)期，
將充分發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以產(chǎn)業(yè)政策為指導(dǎo)，緊緊抓住國(guó)家產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的契
機(jī)，積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)公司中高端技術(shù)產(chǎn)品在市場(chǎng)規(guī)?；瘧?yīng)用。同時(shí)通過
資本與實(shí)業(yè)協(xié)同推進(jìn)的方式，借助公司深厚的功率半導(dǎo)體器件工藝平臺(tái)，積極推
進(jìn)第三代新材料器件的研發(fā)、制造，以實(shí)現(xiàn)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)?guó)際領(lǐng)先企業(yè)的
彎道超車，力爭(zhēng)在“十三五”末期在國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)中率先進(jìn)入國(guó)際領(lǐng)
先企業(yè)行列，樹立具有國(guó)際影響力的民族品牌。
（二）本次配股公開發(fā)行的目的
本次配股擬募集資金總額不超過 10 億元（含發(fā)行費(fèi)用），扣除發(fā)行費(fèi)用后的
凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)。本期項(xiàng)目建成后，
公司將具有加工 8 英寸芯片 24 萬片/年的加工能力，有利于公司進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品
結(jié)構(gòu)，發(fā)揮規(guī)模效益，提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，公司在行業(yè)中的領(lǐng)先地位將得到進(jìn)一步鞏
固和提升。此外，本次募集資金到位后，公司的凈資產(chǎn)規(guī)模將顯著擴(kuò)大，資本實(shí)
力明顯增強(qiáng)，財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)也將更加合理，將有利于降低公司的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)。
三、本次募集資金投資項(xiàng)目的可行性分析
（一）國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策大力支持功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
半導(dǎo)體技術(shù)是信息產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)的核心，是推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)信息化的
關(guān)鍵技術(shù)。功率半導(dǎo)體行業(yè)作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)的重要基礎(chǔ)性行業(yè)，是國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓
勵(lì)和支持發(fā)展的行業(yè)。
根據(jù)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)頒布的《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）》，
本項(xiàng)目屬于《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）》鼓勵(lì)類產(chǎn)業(yè)清單第二十八類
“信息產(chǎn)業(yè)”中第21項(xiàng)“（片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子
器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高密度印刷電路板和
柔性電路板等）制造”，是國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品和技術(shù)，符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政
策。
根據(jù)《信息產(chǎn)業(yè)科技發(fā)展“十一五”規(guī)劃和2020年中長(zhǎng)期規(guī)劃綱要》，本項(xiàng)
目使用的技術(shù)屬于“未來5～15年15個(gè)領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)技術(shù)”第（三）項(xiàng)“新型
元器件技術(shù)（片式電子元器件、機(jī)電元件、印制電路板、敏感元件和傳感器、頻
率器件、新型綠色電池、光電線纜、新型微特電機(jī)、電聲器件、半導(dǎo)體功率器件、
電力電子器件和真空電子器件）”。
2016年，國(guó)務(wù)院出臺(tái)《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，明確指出
做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力。推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)
換代，加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電
子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來新的一輪高速發(fā)
展期。
2017年1月，國(guó)家發(fā)改委公布了《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄
（2016版）》（2017年第1號(hào)），涉及電子核心產(chǎn)業(yè)，進(jìn)一步明確電力電子功率器件
的地位和范圍，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體
管芯片（IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD）、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效
應(yīng)晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成
門極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。
（二）募投項(xiàng)目產(chǎn)品市場(chǎng)空間大
本次配股擬募集資金總額不超過 10 億元（含發(fā)行費(fèi)用），扣除發(fā)行費(fèi)用后
的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)。本項(xiàng)目產(chǎn)品包括
重點(diǎn)應(yīng)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，形成 600V-1700V 各種電壓、電流等級(jí)
的 IGBT 芯片；同時(shí)包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的 MOSFET 芯片；
以及與公司主流產(chǎn)品配套的 IC 芯片。
IGBT 作為新一代的電力電子器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革
命最具有代表性的產(chǎn)品。IGBT 是一種具有 MOS 電壓控制和雙極導(dǎo)通調(diào)制相結(jié)
合的器件，具有 MOSFET 的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)速
度高的優(yōu)點(diǎn)，兼有雙極功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強(qiáng)
的優(yōu)點(diǎn)，是一種需要高壓、大電流和高速應(yīng)用領(lǐng)域的非常理想的電力電子器件，
應(yīng)用單位十分廣泛，是未來應(yīng)用發(fā)展的必然方向。IGBT 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)
代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，
到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的
身 影 。 以 新 能 源 汽 車 領(lǐng) 域 為 例 ， 新 能 源 汽 車 用 IGBT 模 塊 規(guī) 格 一 般
600V~1200V/200A~800A，充電樁需要的 IGBT 模塊功率相對(duì)要小。不同功率、
不同電機(jī)數(shù)量的新能源汽車所需的 IGBT 模塊差別較大，按照市場(chǎng)均價(jià)來計(jì)算，
中國(guó)中投證券預(yù)計(jì) 2020 年新能源汽車和充電樁將帶動(dòng)我國(guó) IGBT 模塊 200 億的
市場(chǎng)需求。
MOSFET，即金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬
電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其通道的極性不同，可分為“N型”
與“P型”的MOSFET。MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。MOSFET
因?yàn)橹圃斐杀镜土?，使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢(shì)，在大型集成電路和超大型
集成電路的領(lǐng)域里發(fā)揮著重要的作用。此外，也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成
電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。據(jù)賽迪顧問公司預(yù)計(jì)，到2019年，中國(guó)MOSFET的
市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到584.4億元，較2016年增長(zhǎng)27.46%，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8.41%。
IC芯片，即集成電路芯片，是把一定數(shù)量的常用電子元件，如電阻、電容、
晶體管等，以及這些元件之間的連線，通過半導(dǎo)體工藝集成在一起的具有特定功
能的電路，主要應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域、智能穿戴設(shè)備、手機(jī)、無人機(jī)等消費(fèi)電子
領(lǐng)域，與此同時(shí)，隨著國(guó)家《中國(guó)制造2025》戰(zhàn)略的深入實(shí)施，制造業(yè)的升級(jí)換
代進(jìn)程加快，工業(yè)控制領(lǐng)域集成電路產(chǎn)品的需求也同樣旺盛。近年來，中國(guó)集成
電路市場(chǎng)需求保持高速增長(zhǎng)。2016年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到11985.9億元，
同比增長(zhǎng)8.7%，在規(guī)模和增速上居于世界前列。
（三）公司具備項(xiàng)目實(shí)施的技術(shù)工藝基礎(chǔ)和人才隊(duì)伍儲(chǔ)備
公司具有52年的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝及銷售的生產(chǎn)經(jīng)
營(yíng)歷史，自主研發(fā)能力始終處于國(guó)內(nèi)同行前列。公司于2007年被認(rèn)定為國(guó)家級(jí)企
業(yè)技術(shù)中心，2008年被認(rèn)定為全國(guó)首批創(chuàng)新型企業(yè)，擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力，有一
支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)人員、工藝技術(shù)人員和熟練的技術(shù)工人隊(duì)伍。公司目前擁
有專利50項(xiàng)，其中發(fā)明專利14項(xiàng)，并擁有多項(xiàng)核心終端技術(shù)、工藝制造技術(shù)和產(chǎn)
品制造技術(shù)，陸續(xù)開發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的高頻開關(guān)電源用功率晶體管、高清電視機(jī)用
晶體管、半導(dǎo)體保護(hù)器件、雙向晶閘管、VDMOS功率器件、IGBT等產(chǎn)品，產(chǎn)品
技術(shù)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，部分產(chǎn)品達(dá)到國(guó)際水平。
伴隨著公司多年的經(jīng)營(yíng)和發(fā)展，公司逐步培育了擁有七百多名工程師的技術(shù)
管理和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，為公司工藝研發(fā)、新產(chǎn)品研發(fā)奠定了良好的基礎(chǔ)。此外，公司
經(jīng)營(yíng)管理層深耕功率半導(dǎo)體器件行業(yè)多年，在承擔(dān)募投項(xiàng)目建設(shè)、市場(chǎng)開拓、內(nèi)
部管理等方面具備優(yōu)勢(shì)。
（四）公司擁有成熟的營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)和可行的市場(chǎng)開拓策略
公司實(shí)行“直銷為主，代銷為輔”的銷售模式，公司產(chǎn)品主要通過市場(chǎng)營(yíng)銷
分公司、銷售業(yè)務(wù)部進(jìn)行銷售。公司營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)所銷售產(chǎn)品在白色家電、太陽能光
伏發(fā)電、通訊保護(hù)與工業(yè)控制、智能手機(jī)、LED照明等領(lǐng)域市場(chǎng)占有率較高。在
國(guó)內(nèi)，公司銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋公司產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場(chǎng)，特別是華東地區(qū)和華南地
區(qū)；在境外，公司在印度、韓國(guó)、日本等已經(jīng)建立起成熟的銷售和配套網(wǎng)絡(luò)，近
年來公司在俄羅斯、巴西、我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和香港特別行政區(qū)的客戶網(wǎng)絡(luò)也日臻完
善。
公司堅(jiān)持以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，在市場(chǎng)開拓策略上，以節(jié)能減排和一帶一路等
國(guó)家戰(zhàn)略為牽引，重點(diǎn)突出新能源汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、變頻家電等四大
應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)開發(fā)與推廣。在產(chǎn)品研發(fā)上，公司突出產(chǎn)品開發(fā)重點(diǎn)，努力貼近
市場(chǎng)，提升響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)與客戶產(chǎn)品同步升級(jí)。
（五）項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益良好
本項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷售收入 91,818.14 萬元，生產(chǎn)期平均年稅后凈
利潤(rùn)為 18,226.68 萬元，項(xiàng)目?jī)?nèi)部收益率（稅后）為 16.22%，投資回收期（稅后）
為 6.54 年，經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)指標(biāo)良好，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益，在經(jīng)濟(jì)上是可行的。
（六）項(xiàng)目報(bào)批事項(xiàng)
本項(xiàng)目已取得吉林市發(fā)展和改革委員會(huì)《關(guān)于吉林華微電子股份有限公司建
設(shè)新型電力電子器件基地項(xiàng)目備案的通知》（吉發(fā)改審批〔2011〕1330 號(hào)）以及
吉林市環(huán)境保護(hù)廳《關(guān)于吉林華微電子股份有限公司建設(shè)新型電力電子器件基地
項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書的批復(fù)》（吉環(huán)審字〔2011〕399 號(hào)），本項(xiàng)目用地已經(jīng)落實(shí)，
并辦理了國(guó)有土地使用權(quán)證（吉市國(guó)用〔2009〕第 220204002630 號(hào)）和國(guó)有土
地使用權(quán)證（吉市國(guó)用〔2012〕第 220204001504 號(hào)）。
五、本次配股募集資金可行性分析結(jié)論
本次配股募集資金符合公司長(zhǎng)期戰(zhàn)略發(fā)展，有利于公司進(jìn)一步發(fā)揮規(guī)模效
益，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，公司在行業(yè)中的領(lǐng)先地位將得到進(jìn)一步鞏固
和提升。此外，本次募集資金到位后，公司的凈資產(chǎn)規(guī)模將顯著擴(kuò)大，資本實(shí)力
明顯增強(qiáng)，財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)也將更加合理，將有利于降低公司的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)。因此，本次
配股募集資金符合公司及全體股東的利益，是必要、可行的。