芯片高低溫測(cè)試設(shè)備性能指標(biāo)保護(hù)措施：

1、可靠的接地保護(hù)裝置

2、電源欠壓，缺相保護(hù)

3、獨(dú)立工作室超溫保護(hù)

4、保護(hù)制冷機(jī)超壓、過(guò)載、油壓欠壓；

5、加熱器短路，過(guò)載保護(hù)

6、漏電保護(hù)，報(bào)警聲訊提及

　　芯片高低溫測(cè)試設(shè)備規(guī)格型號(hào)及技術(shù)參數(shù)：

1. 溫度范圍：-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-85~+150℃。

2.控制穩(wěn)定性：±0.5℃

3.均勻分布：±1.5℃

4.正常加熱時(shí)間：-+20℃~+150℃小于45分鐘的非線性空載。

5.正常降溫時(shí)間：+20~-20℃小于45分鐘/+20~-40℃小于60分鐘/+20~-50℃小于65分鐘.

+20~-60℃小于70分鐘/+20~-70℃小于75分鐘/20~-85℃小于100分鐘.

　　適用于測(cè)試:鋰離子、鎳氫、鎳鎘、鉛酸、金屬氫化物鎳等單體電池和電池組，按標(biāo)準(zhǔn)GB897.4-200(idtiEC6086-4：2000)原電池第四部分：鋰電池要求、GB897.5-2006：2005)《原電池第五部分：水溶液電解質(zhì)電池要求》、IEC62133：2002年《堿性或其他非酸性電解質(zhì)二次單體電池及電池組便攜式密封二次單體電池及電池組要求》、IEC61951-1：2003年《含堿性或其他非酸性電解質(zhì)的便攜式密封可再充電電池及電池組第一部分：

　　芯片高低溫測(cè)試設(shè)備執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：

1.GB10586-2006濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件

2.GB10589-2008低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

3.GB10592-2008芯片高低溫測(cè)試設(shè)備技術(shù)條件

4.GB1158-2006高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

5.GBA2423.1-2001測(cè)試A：低溫試驗(yàn)方法

6.GBB2423.2-2001試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法

7.GB(T243.3-1993試驗(yàn)Caaaa:恒定濕熱試驗(yàn)

8.GBDB測(cè)試/T243.4-1993：交變濕熱試驗(yàn)方法

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