2006年8月4日，麻省理工學院(MIT)微光學技術中心開始一項360萬美元、挑戰(zhàn) III-V 族光電材料的“芯片級納米光電系統(tǒng)用電泵浦硅激光器”項目，此項目為美國國防部投資的MURI(多學科大學研究啟動)計劃的一部分。

　　雖然目前英特爾公司已開發(fā)出光泵浦硅激光器，但由于硅的間接能帶隙特性，實現電泵浦型似乎還遙遙無期。但如果硅能以這種方式發(fā)射激光，將對III-V 族光電材料形成巨大的沖擊。

　　由Lionel Kimerling(MIT材料加工中心與微光學中心主任)領導的合作研究小組列舉了電泵浦激光器技術的優(yōu)點：能以光學方式連接磁心存儲器或芯片的存儲器部分，在加快片內通信速度的同時降低功率要求;可利用激光器將芯片與其他外部設備相連，開創(chuàng)芯片設計的又一全新領域(在同一芯片上使用同一工具組就可對包括激光器的光學器件和晶體管進行加工處理)。

　　研究小組目前鎖定兩種制備電泵浦硅激光器的方法：一，在SiO2或Si3N4介電矩陣的基礎上(此環(huán)境可有效激活鉺的發(fā)光能力)，將納米晶體硅與鉺摻雜制備光波1550nm的光源。電子-空穴對可在納米晶體上被捕獲并重新結合，釋放出的能量在有效地傳遞給鉺原子后生成1550nm的光。此方法的關鍵之一為利用光學諧振腔來實現光放大，但問題在于如何在室溫下成功實現諧振發(fā)射呢;另一個方法就是在硅上沉積鍺做為直接能帶隙活性激光材料。此方法可在毫瓦級功耗上制備大功率激光源，且可與光纖網絡集成。

　　小組稱，無論采取哪種方法，其目的都是將激光器件與CMOS工藝接軌，使這些光學器件可集成于微芯片上，同時，實現批量生產。（編輯：ZQY）