2012年7月10至12日半，導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的展覽會—美西半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展(SEMICON West)在美國硅谷舉行。晶能光電有限公司首席技術(shù)官(CTO)趙漢民博士應(yīng)邀出席“新一代高亮LED峰會”并發(fā)表演講，介紹了晶能光電最近實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的硅襯底大功率LED芯片的最新成果，引起業(yè)界高度的關(guān)注。

　　在峰會上趙漢民博士作了題為“Commercialization of High power LEDs based on GaN-on-Si technology”的報告。報告介紹了晶能光電公司的發(fā)展歷程，同時從產(chǎn)品的工藝、種類、性能、應(yīng)用和特點(diǎn)等方面詳細(xì)介紹了硅基大功率LED芯片的最新進(jìn)展，指出晶能光電作為目前全球唯一一家硅基LED芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的公司，將打破藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片的壟斷局面，為高效率低成本的半導(dǎo)體照明做出自己的貢獻(xiàn)。

　　報告重點(diǎn)介紹了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在內(nèi)的四款硅基大功率LED芯片，此前晶能光電在廣州香格里拉大酒店舉行的新一代大功率硅基LED芯片產(chǎn)品發(fā)布會上推出了這四款產(chǎn)品。趙漢民博士指出，45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達(dá)到120lm/W，可廣泛應(yīng)用于室內(nèi)照明、室外照明、直下式背光和便攜式照明等市場。與目前市場主流的藍(lán)寶石襯底LED芯片相比，硅襯底LED芯片具有耐大電流密度、散熱性能好、發(fā)光形貌好、可靠性高等綜合優(yōu)勢。晶能光電針對硅襯底LED芯片技術(shù)申請了國際國內(nèi)200多項(xiàng)專利，形成了很強(qiáng)的專利保護(hù)。報告最后指出，大尺寸GaN/Si技術(shù)的研發(fā)成功將會有力地降低LED成本，推動LED照明的大規(guī)模應(yīng)用。目前晶能光電正在努力開發(fā)6寸 技術(shù)，預(yù)計(jì)在將來12個月內(nèi)進(jìn)入量產(chǎn)。

　　此次展覽會和LED峰會增進(jìn)了全球LED照明公司之間的技術(shù)交流與溝通，并且將晶能光電的硅基LED技術(shù)推向了LED行業(yè)的國際前沿，為硅基LED的未來發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。