諾貝爾物理學獎得主天野浩2014年10月24日獲得了日本政府頒發(fā)的文化勛章，并在其任職的名古屋大學舉辦了記者見面會。天野在會上以回答記者提問的形式，介紹了自己正在進行的研究。

　　在這些研究中，天野著重強調了功率器件應用的重要性。這是因為與Si相比，GaN的帶隙大、導熱率高，具備適用于功率器件的特性，有望起到良好的節(jié)能效果。

　　天野充滿信心地說：“氮化物半導體的應用不只是LED，我特別關注的是功率器件。LED為節(jié)能做出了貢獻，功率器件也將大幅推動節(jié)能，比如功率晶體管。Si雖然實現(xiàn)了高達95%的電力轉換效率，但依然存在5%的損失。而GaN理論上可以使這一損失降低到1/6以下。還有望起到超過LED的節(jié)能效果。我們也在開發(fā)超低耗電量的功率器件。功率器件方面，從現(xiàn)在開始才是關鍵時刻。在GaN功率器件領域，我認為日本現(xiàn)在處于領先地位，希望在這一領域引領世界的發(fā)展”。

　　關注深紫外LED

　　天野也介紹了在LED和半導體激光等發(fā)光元件領域的舉措。LED方面正在研究借助周期性大量設置納米級GaN線的“納米線結構”，提高發(fā)光效率。在這種結構下，每條線都可作為LED發(fā)光，因此有助于擴大發(fā)光面積，提高發(fā)光效率。

　　此外還在研究波長僅為250nm～350nm左右的深紫外LED。這種LED除了殺菌用途外，預計還可應用于印刷領域。印刷領域過去使用的紫外光源的發(fā)光波長有限。因此，印刷墨水等使用的高分子材料需要配合波長來開發(fā)，既費時又費力。而LED容易調節(jié)波長，能按照高分子的特性選擇紫外LED的波長，從而可使開發(fā)變得更簡單。

　　利用GaN類半導體實現(xiàn)紅色激光器

　　不只是LED，天野還對新型半導體激光器給予了關注。GaN類半導體的LED存在電流密度過大時發(fā)光效率下降的“光效下降現(xiàn)象”。而半導體激光器沒有這種現(xiàn)象，通入的電流越大，亮度越大，效率越高。因此在照明用途，半導體激光器也引發(fā)了關注。

　　激光照明備受期待的用途是汽車頭燈。雖然已有部分車型采用了激光頭燈，但溫度特性依然存在課題。因此，天野正在針對這一課題開展研究。

　　除照明用途外，天野還在研究顯示器用半導體激光器，他研究的是使用GaN系半導體的紅色激光器。雖然顯示器用紅色半導體激光器已經存在，但在平視顯示器等汽車用途，“溫度特性還不夠”(天野)。因此，天野希望使用GaN類半導體解決這一問題。