(2)倒裝PN結到環(huán)境熱阻低。隨著電流的增加，由于熱阻原因芯片溫度隨之升高，從而增加了載流子的非輻射復合幾率，降低了輻射復合幾率，造成發(fā)光效率下降。熱阻越高，芯片升溫越高，發(fā)光效率下降越快。倒裝的PN結與支架的正負極采用共晶焊接，熱傳輸距離短，散熱面積大，更利于熱傳導，因此可以得到較低的熱阻值，降低PN結溫，從而減慢光效下降速度。這與光通量隨電流變化實驗結果吻合。

　　3.3 色溫測試

　　色溫是光源光譜質量最通用的指標。對于LED光源的需求色溫多數都是比較低的，并且對于同一批次的產品而言，色溫偏差越小，質量越優(yōu)。對色溫的控制研究，一直都是企業(yè)滿足顧客需求的關鍵參數。

　　圖6為三種封裝結構LED的電流色溫曲線對比圖。通過實驗測試，隨著驅動電流的升高，三種封裝結構LED色溫都隨著電流的增加而升高，而倒裝LED的色溫升高斜率最小約為0.40，正裝LED的色溫升高斜率約為0.67，而垂直結構LED在電流小于1 200 mA(光通量飽和點)時色溫增加斜率約為0.84，超過1 200 mA時，色溫參數接近失效，這與光通量測試和發(fā)光效率測試結果吻合。倒裝LED的色溫飽和點約為1 600 mA，比垂直結構LED的色溫飽和點高出400 mA。說明倒裝LED在較大電流沖擊情況下，光輸出特性比垂直結構LED穩(wěn)定。

　　4、結論

　　采用相同尺寸1.16 mm GaN基藍光芯片制備了倒裝結構LED和垂直結構LED，用STC4000快速光譜儀和恒流電源測試了兩種LED在不同驅動電流條件下的光通量、發(fā)光效率和色溫等發(fā)光特性，發(fā)現垂直結構LED在超過1 200 mA電流時出現發(fā)光性能失效，而倒裝LED的發(fā)光性能失效的電流值在1 550 mA。倒裝結構LED失效電流值的增加，使得LED的可靠性能增加，提高了LED的使用壽命。