近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究”項目皆已獲批廣東省重點領域研發(fā)計劃項目，按計劃正常實施中。
同時，國星光電表示，國星半導體主要業(yè)務包括藍寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產(chǎn)品包含藍綠顯屏芯片，數(shù)碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。
據(jù)透露，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關硅襯底GaN外延及垂直結構LED芯片的主要技術依照約定已轉移給子公司國星半導體，由國星半導體在應用場景繼續(xù)進行上述技術的后續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推進。Raysent已在美國申請數(shù)項專利，國星半導體目前已申請氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術專利4篇。
國星光電表示，公司正積極進行第三代半導體相關的技術儲備，后續(xù)應用需視市場需求與技術結合情況而定。
