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國(guó)星光電參與兩項(xiàng)碳化硅團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草及討論會(huì)

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2021-06-22 作者: 來(lái)源:國(guó)星光電 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0
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摘要: 近日,國(guó)星光電受第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)(CASAS)邀請(qǐng)參與了《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)熱阻電學(xué)法測(cè)試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的起草與草案討論(線上),助力加速第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。

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近日,國(guó)星光電受第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)(CASAS)邀請(qǐng)參與了《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)熱阻電學(xué)法測(cè)試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的起草與草案討論(線上),助力加速第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。

《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)熱阻電學(xué)法測(cè)試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭,經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)(CASAS)管理委員會(huì)審核,兩項(xiàng)提案均立項(xiàng)通過(guò)[1]。

微信圖片_20210622134744.png▲兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)草案


《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)熱阻電學(xué)法測(cè)試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》標(biāo)準(zhǔn)草案線上討論會(huì)于5月26日、6月10日先后召開(kāi),國(guó)星光電研究院代表參加了標(biāo)準(zhǔn)的線上討論并對(duì)標(biāo)準(zhǔn)修訂提出了重要建議與意見(jiàn)。兩次線上研討會(huì)共計(jì)有三十多人(次)來(lái)自產(chǎn)學(xué)研不同領(lǐng)域的專家代表參與。


SiC(碳化硅)材料對(duì)比傳統(tǒng)的Si(硅)材料,具備電性能和熱性能優(yōu)越、雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等特點(diǎn),在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)可以適配更大的功率密度,更小的產(chǎn)品體型。然SiC的材料性能與Si的材料性能相差甚大,傳統(tǒng)Si的熱阻及可靠性測(cè)試方式并不都適合SiC材料的器件產(chǎn)品。SiC器件的熱阻測(cè)試與功率循環(huán)測(cè)試評(píng)估,對(duì)SiC MOSFET器件的可靠性與分析改進(jìn)具備非常重要的意義。


近期,國(guó)星光電的TO系列產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機(jī)構(gòu),完成了相關(guān)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試,SiC產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)展,目前SiC-TO產(chǎn)品已開(kāi)發(fā)完成5種封裝大類的開(kāi)發(fā)(TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6),建設(shè)6個(gè)系列化產(chǎn)品線:SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、內(nèi)絕緣型SiC-SBD/MOS 系列。

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以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用已寫入“十四五規(guī)劃”,國(guó)家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進(jìn)著。隨著航天、航空、石油勘探、核能、汽車等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展,尤其是新能源汽車的快速發(fā)展,在國(guó)產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動(dòng)下,我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)不斷地升溫。國(guó)星光電也在大力布局“三代半封測(cè)”業(yè)務(wù),積極持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開(kāi)發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化,望在國(guó)產(chǎn)替代的偉大宏圖上貢獻(xiàn)國(guó)星力量,為廣晟集團(tuán)奮進(jìn)世界500強(qiáng)注入強(qiáng)勁動(dòng)能。



▎參考資料:

[1]第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟:http://www.casa-china.cn/a/news/trends/677.html










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