晶能光電宣布硅襯底大功率LED通過LM80測試
2013-10-16
作者：
來源：新世紀LED網
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摘要： 近期，晶能光電宣布其硅襯底大功率LED芯片系列已經通過了6,000小時的美國環(huán)保署認可的第三方IES LM80測試，公司現(xiàn)可根據需要提供LM80測試數據。
近期，晶能光電宣布其硅襯底大功率LED芯片系列已經通過了6,000小時的美國環(huán)保署認可的第三方IES LM80測試，公司現(xiàn)可根據需要提供LM80測試數據。
IES LM-80測試數據可使客戶在使用晶能光電硅襯底大功率LED系列時能夠滿足能源之星流明維持要求，并減少能源之星的認證時間。
晶能光電CTO趙漢民博士表示：晶能光電一直致力于硅襯底LED技術的研發(fā)和量產，是目前為止全球唯一一家能夠實現(xiàn)大、中、小功率硅襯底LED芯片規(guī)?；a的公司。此次硅襯底大功率LED芯片通過LM80測試認證，是對硅襯底大功率LED芯片產品質量的事實肯定，為廣大客戶使用硅襯底大功率LED芯片提供了質量保證。
晶能光電硅襯底大功率LED系列封裝后發(fā)光效率高達150lm/W，與其他LED封裝產品相比，在出光形貌和大電流使用上都有突出的表現(xiàn)，可廣泛應用于路燈、隧道燈、手機閃光燈、礦燈、射燈、筒燈、汽車大燈等LED照明領域，是方向光高端照明的絕佳光源。
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