BluGlass新GaN制備工藝實(shí)現(xiàn)成本節(jié)約
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上傳人：未知 上傳時(shí)間： 2007-04-11 瀏覽次數(shù)： 34 |
由于RPCVD使用氮代替氨氣并將藍(lán)寶石襯底變成玻璃襯底，使得材料和一次性費(fèi)用減少了70%。而RPCVD本身工作溫度比MOCVD低，這意味著七年壽命周期后其運(yùn)行成本將比MOCVD少800萬美元。
但RPCVD法在芯片級實(shí)現(xiàn)的成本節(jié)約卻不太明顯。假定藍(lán)寶石上GaN （GaN-on-sapphire）外延片和玻璃板上GaN（GaN-on-glass）外延片的后端加工成本相同，WWK的模型顯示RPCVD法制備的LED芯片成本僅比傳統(tǒng)藍(lán)光LED芯片低10%。
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