節(jié)能新技術(shù):太陽(yáng)能LED照明(圖)
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上傳人:admin 上傳時(shí)間: 2007-08-31 瀏覽次數(shù): 629 |
1.前言
20世紀(jì),石油、煤炭、天然氣等主要能源面臨資源枯竭的危險(xiǎn),同時(shí),環(huán)保壓力的不斷增加,使環(huán)保、節(jié)能已經(jīng)成為各行各業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)。太陽(yáng)能作為地球上真正取之不盡的清潔能源,將是21世紀(jì)最理想的綠色新能源,其利用的有效途徑便是利用光伏發(fā)電技術(shù)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。LED(Light Emitting Diode)是一種能將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的半導(dǎo)體器件,憑借其節(jié)能無(wú)污染的特點(diǎn)已運(yùn)用于多個(gè)行業(yè)的照明領(lǐng)域中,因此作為集成了太陽(yáng)能光伏發(fā)電和LED固態(tài)照明優(yōu)點(diǎn)的太陽(yáng)能LED照明系統(tǒng),是新一代能源和新一代光源的完美結(jié)合。
2.太陽(yáng)能光伏發(fā)電的技術(shù)特點(diǎn)
太陽(yáng)能光伏發(fā)電是依靠太陽(yáng)能電池組件(Solar Cells),利用半導(dǎo)體材料的電子學(xué)特性,光太陽(yáng)光照射在半導(dǎo)體PN結(jié)上,由于P-N結(jié)勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生了較強(qiáng)的內(nèi)建靜電場(chǎng),因而產(chǎn)生在勢(shì)壘區(qū)中的非平衡電子和空穴,或者產(chǎn)生在勢(shì)壘區(qū)外但擴(kuò)散進(jìn)勢(shì)壘區(qū)的非平衡電子和空穴,在內(nèi)建靜電電場(chǎng)的作用下,各向相反方向運(yùn)動(dòng),離開(kāi)勢(shì)壘區(qū),結(jié)果使P區(qū)電勢(shì)升高,N區(qū)電勢(shì)隆低,從而在外電路中產(chǎn)生電壓和電流,將光能轉(zhuǎn)化成電能。
太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)大體上可以分為兩類,一類是并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng),即和公用電網(wǎng)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)接口相連接,像一個(gè)小型的發(fā)電廠;另一類是獨(dú)立式發(fā)電系統(tǒng),即在自己的閉路系統(tǒng)內(nèi)部形成電路,不和外部電網(wǎng)產(chǎn)生關(guān)系。并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)通過(guò)光伏陣列將接收來(lái)的太陽(yáng)輻射能量經(jīng)過(guò)高頻直流轉(zhuǎn)換后變成高壓直流電,經(jīng)過(guò)逆變器逆變后向電網(wǎng)輸出與電網(wǎng)電壓同頻、同相的正弦交流電流。而獨(dú)立式發(fā)電系統(tǒng)光伏陣列首先會(huì)將接收來(lái)的太陽(yáng)輻射能量直接轉(zhuǎn)換成電能供給負(fù)公將接收來(lái)的太陽(yáng)輻射能量直接轉(zhuǎn)換成電能供給負(fù)載,并將多余能量經(jīng)過(guò)充電控制器后以化學(xué)能的形式儲(chǔ)存在蓄電池中。在日照不足時(shí),儲(chǔ)存在蓄電池中的能量經(jīng)過(guò)全橋逆變器后變成SPWM波,然后再經(jīng)過(guò)濾波和工頻變壓器升壓后變成交流220V,50Hz的正弦電壓供給交流負(fù)載使用。
3.LED半導(dǎo)體照明的技術(shù)特點(diǎn)
LED是一種在P-N結(jié)上施加正向電流時(shí)能發(fā)出紫外光、可見(jiàn)光、紅外光的半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。其發(fā)光機(jī)理的核心在于P-N結(jié),當(dāng)外加正向電壓時(shí),P-N結(jié)的平衡打破,P區(qū)空穴進(jìn)入P-N結(jié)中和原來(lái)的一部分負(fù)離子,N區(qū)電子進(jìn)入P-N結(jié)中和原來(lái)的一部分正離子,這樣就合P-N結(jié)變窄,由于外加電場(chǎng)使P-N結(jié)電場(chǎng)隆低,引起電子勢(shì)能的減少,減少的勢(shì)能則轉(zhuǎn)化為電磁能,以光子的形式釋放出來(lái)。電子減少的能量越多,釋放光子的能量也就越高。LED釋放的光能量與電子的電量和點(diǎn)亮二極管的電壓有關(guān),即E=qv(J)(q=-1.6×10-19C)。而釋放的光的峰值波長(zhǎng)則與發(fā)光芯片所用的半導(dǎo)體材料有關(guān),即λ≈1240/Eg(nm)(半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg),由計(jì)算可知若產(chǎn)生可見(jiàn)光,則芯片用的半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在1.60~3.26ev之間,這是研制和選擇發(fā)光不同的波長(zhǎng)光的芯片材料的主要依據(jù)。
LED半導(dǎo)體照明光源具有廣泛的優(yōu)越性,除了使用壽命長(zhǎng)、發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保安全可靠等優(yōu)點(diǎn)以外,還有一個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)就是由于LED啟動(dòng)電壓和工作電壓一致,所以就不需使用鎮(zhèn)流器。這樣在節(jié)省成本和相關(guān)能耗的同時(shí),也大大縮短了通斷電的響應(yīng)時(shí)間。
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