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采用光生伏特效應的LED芯片在檢測方法上的研究(上)

上傳人：李戀，李平

上傳時間： 2009-12-16

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式中：d是pn結的厚度，α為半導體材料的吸收系數，與材料本身、摻雜濃度以及激勵光的波長有關，P(x)是在pn結內位置算處(假定pn結表面坐標位置為0)的激勵光強度[13]，表示為：

式中：P0是在pn結表面的激勵光強度。

　　根據愛因斯坦關系式，電子和空穴的擴散長度Ln和Lp可表示為

式中：KB為玻爾茲曼常數，T為開氏溫度，μn、μp分別為電子、空穴遷移率，與材料本身、摻雜濃度以及溫度有關，

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