提高GaN基發(fā)光二極管外量子效益的途徑
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上傳人：李為軍 上傳時間： 2009-09-14 瀏覽次數(shù)： 149 |
發(fā)光二極管(LED)低的外量子效率嚴重制約了LED 的發(fā)展，本文主要介紹了提高GaN 基LED 外量子效率途徑的最新進展，包括芯片非極性面/半極性面生長技術，分布布拉格反射層(DBR)結構， 改變LED 基底幾何外形來改變光在LED 內(nèi)部反射的路徑和表面粗化處理以及新近的光子晶體技術和全息技術等。并對納米壓印與SU8 相結合技術在提高LED外量子光效益方面進行了初步探索。
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