歐司朗光電半導體（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）開發(fā)出了外部量子效率高達68％的LED技術。據(jù)稱，即使增加對LED投入的電流量，仍可獲得較高的效率。68％的外部量子效率是發(fā)光波長為440nm、外形尺寸為1mm×1mm的藍色LED芯片所達到的數(shù)值。這種藍色LED芯片的光輸出，當投入電流為350mA時高達640mW，投入電流為3A時高達3.2W。該公司稱，如果將該藍色LED芯片涂覆熒光體制成白色LED芯片，則發(fā)光效率可達136lm/W，當投入3A的電流時光通量可達830lm。在綠色LED芯片上采用此次的技術，當投入1A的電流時可獲得224lm的光通量。該公司表示，由于這一特點，新產(chǎn)品適用于采用RGB LED的投影機的光源。另外，還適用于照明以及汽車用前照燈。

　　歐司朗將此次開發(fā)的技術稱為“UX:3”。通過改進該公司GaN類LED技術“ThinGaN”的n型接觸電極的配置，獲得了較高的外部量子效率。具體為，將設在采用ThinGaN技術的以往GaN類LED芯片表面的n型接觸電極從表面移除，而植入到了LED芯片內(nèi)部。這樣，當從LED芯片內(nèi)部產(chǎn)生的光射向芯片外時就沒有了遮擋物，從而提高了光的取出效率。n型接觸電極（圖1右側中的Current Spreading Pillars）通過p型GaN類半導體層（圖1中的P-layer）的過的貫通孔與n型GaN類半導體層（圖1中的N-layer）電氣連接。為了避免n型接觸電極與p型接觸電極（圖1中的Metallic Mirror、以及起到光反射層作用的Ag基底層）發(fā)生短路，在兩電極間設有絕緣層。

圖1 左側為采用ThinGaN技術的LED芯片構造，右側為采用UX:3技術的LED芯片構造

　　并且，該公司稱，由于UX:3技術可降低作為LED發(fā)光部分的活性層所采用的多重量子井中的電流密度，因此，LED驅(qū)動電流每次增加時LED的量子效率都會下降的問題得以減輕（圖2）。因此，即使增加投入電流量，仍可獲得較高的量子效率。據(jù)歐司朗介紹，驅(qū)動電流越增加、量子效率越下降的原因是俄歇復合（Auger recombination）。俄歇復合是一種不伴隨發(fā)光的非放射再結合，電流密度越高，則俄歇復合越會增加。該公司的觀點是，由于UX:3技術可將電流密度降低到最小限度，因此可減少俄歇復合，減少量子效率的下降。

圖2 相對于投入電流量的光輸出變化。與以往技術相比，UX:3技術當投入電流量較大時的光輸出較大