圖3給出了已刻蝕MESA平臺圖形的GaN材料，在210℃熱H3PO4中腐蝕5min后的表面形貌，從圖中我們可以看到，平臺上的P型 GaN表面的凹坑較小而且濃密，而平臺下面的N型GaN表面的凹坑較大且較稀疏，導致該差異的主要原因取決于GaN材料的極性，圖4給出了GaN材料的極性結構圖，通常Ga極性的GaN其表面不容易被腐蝕，而N極性的GaN表面較容易被腐蝕，主要原因是由于在腐蝕過程中，N極性結構中的N原子容易被腐蝕介質中的離子吸附解離，而Ga極性結構則相反，導致較難腐蝕[3,4]。同時我們觀察到所出現的凹坑呈六邊形結構，該現象主要與GaN材料的六方形晶體結構相關。

圖4. GaN的極性結構圖

　　圖5給出了195℃不同腐蝕時間P及N型GaN表面形貌，從圖中我們可以看出，在腐蝕時間較短的情況下，P型與N型GaN表面腐蝕凹坑尺寸差異不大，但是當延長腐蝕時間后，P型GaN表面的凹坑變化較小，而N型表面的凹坑尺寸明顯增大。

(a) 10min

(b) 20min

圖5.195℃不同腐蝕時間P及N型GaN表面形貌

　　將經過熱H3PO4腐蝕過的GaN材料制備成325um×375um的芯片，對其光電性能進行測試。圖6與圖7是芯片在點亮前后的照片，從圖中可以看到，粗化后的GaN材料制成芯片后，其P電極及整個電流擴展層表面較粗糙;芯片在5mA下點亮后，發(fā)現其電流可以擴展均勻，并未產生局部發(fā)光現象。

圖6.195℃ H3PO4腐蝕5min芯片的表面形貌