LED 的實質(zhì)性結構是半導體PN 結，核心部分由P 型半導體和N 型半導體組成的晶片，在P 型半導體和N 型半導體之間有一個過渡層，稱為PN 結。其發(fā)光原理可以用PN 結的能帶結構來做解釋。制作半導體發(fā)光二極管的半導體材料是重摻雜的，熱平衡狀態(tài)下的N 區(qū)有很多遷移率很高的電子，P 區(qū)有較多的遷移率較低的空穴。在常態(tài)下及PN 結阻擋層的限制，二者不能發(fā)生自然復合，而當給PN 結加以正向電壓時，由于外加電場方向與勢壘區(qū)的自建電場方向相反，因此勢壘高度降低，勢壘區(qū)寬度變窄，破壞了PN 結動態(tài)平衡，產(chǎn)生少數(shù)載流子的電注?？昭◤腜 區(qū)注入N 區(qū)，同樣電子從N 區(qū)注入到P 區(qū)，注入的少數(shù)載流子將同該區(qū)的多數(shù)載流子復合，不斷的將多余的能量以光的形式輻射出去。

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