GaN基多量子阱藍色發(fā)光二極管實驗與理論分析
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上傳人：李為軍 上傳時間： 2009-09-11 瀏覽次數(shù)： 217 |
采用量子點模型對藍色InGaN/GaN 多量子阱發(fā)光二極管電致發(fā)光光譜進行考察，并和實驗測量結果進行了比對，結果發(fā)現(xiàn)，利用量子點模型計算出的自發(fā)輻射發(fā)光峰位與實驗得出的電致發(fā)光的峰位較好的符合，表明了在多量子阱發(fā)光二極管中由于InN 和GaN 相分離而形成的富In 類量子點結構，主導著InGaN 基發(fā)光二極管發(fā)光波長，體現(xiàn)了InGaN 基發(fā)光二極管量子點發(fā)光的本質。同時，基于量子點模型的理論討論了以合適組分的四元AlInGaN 材料取代傳統(tǒng)的GaN 材料作為量子阱壘層對發(fā)光二極管發(fā)光特性的影響。
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