MBE低溫生長GaAs在器件應(yīng)用上的回顧與新進(jìn)展
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上傳人：鄭戈,汪輝 上傳時(shí)間： 2011-10-18 瀏覽次數(shù)： 74 |
| 作者 | 鄭戈,汪輝 |
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| 單位 | 上海交通大學(xué)微電子學(xué)院 |
| 分類號(hào) | TN304 |
| 發(fā)表刊物 | 信息技術(shù) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2008年10期 |
LTG-GaAs的基本介紹LTG-GaAs是使用MBE在250~300攝氏度的低溫下生長的GaAs。它含有1%~2%的過量的砷。由于過量砷的存在導(dǎo)致了很高濃度的點(diǎn)缺陷,而這種點(diǎn)缺陷則大部分由砷的反位缺陷所造成。這些反位缺陷也同時(shí)在GaAs的價(jià)帶中帶來了大量的中間態(tài)。它是近年來出現(xiàn)的新材料……
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