用氫氧化鉀溶液進行光化學腐蝕來制造低應變、高效率的發(fā)光二極管(LED)。臺灣的研究者聲稱，針對目前廣泛應用的激光剝離工藝，他們已經(jīng)研發(fā)了一種替代方法，這種新型工藝在性能上十分優(yōu)異，可應用于高亮度薄膜LED 的制造中。

　　來自臺灣中興大學的論文通訊作者Chia-Feng Lin 解釋說：“ 在InGaN LED 結構上進行傳統(tǒng)的激光剝離工藝會增加其位錯密度”。根據(jù)他的說法，這將會導致器件在反向偏置時漏電流的增加，以及在激光處理過程中所產(chǎn)生的局部升溫造成GaN 的損壞。Lin 和他的同事提出的新方法能解決所有這些問題。新方法是在器件中先插入一個Si 摻雜超晶格交替結構的犧牲層，其中InGaN和GaN 層厚度均為3nm。先在氫氧化鉀溶液中對這種超晶格結構進行光化學腐蝕，然后用粘貼膜的機械剝離方式來使緩沖層和襯底與器件所有其余部分進行分離。

　　以一個功率為50mW、波長為405nm 的激光二極管作為光源，進行10 分鐘的光化學腐蝕處理步驟。Lin說：“InGaN/GaN 犧牲層的橫向濕法腐蝕速率比重摻雜硅GaN 層的腐蝕速率要高”。他還補充說，在腐蝕過程中，器件結構中還施加了+1 V 的偏壓，來防止頂部InGaN 層的損傷。