氧氣流量對脈沖激光沉積ZnO薄膜的形貌及光學性質(zhì)影響
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上傳人：曹培江、林傳強、曾玉祥、柳文軍、賈芳、朱德亮、馬曉翠、呂有明 上傳時間： 2013-01-28 瀏覽次數(shù)： 28 |
摘要：使用脈沖激光沉積(PLD)方法在石英(SiO2)和單晶Si(111)基底上制備了具有高c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜。測試結果顯示:在30～70sccm氧氣流量范圍內(nèi),氧氣流量50sccm時制備的ZnO薄膜具有較好的結晶質(zhì)量、較高的光學透過率(≥80%)、較高的氧含量(～40.71%)、較快的生長速率(～252nm/h)和較好的發(fā)光特性:450～580nm附近發(fā)射峰最弱,同時～378nm附近的紫外發(fā)光峰最強,表明薄膜材料中含有較少的氧空位等缺陷。
1引言ZnO薄膜材料具有優(yōu)異的光電、壓電、電光、聲光等化學物理性能,因而在紫外發(fā)射器件、紫外激光器件、壓電器件、太陽能電池、透明導電膜等諸多方面具有廣泛的應用前景[1,2]。目前,人們嘗試采用多種方法制備ZnO,如化學氣相沉積[3,4]、磁控濺射[5,6]、脈沖激光沉積[7～9]等......
1、引言
2、實驗
3、結果與討論
4、結論
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